在人工智能和先进计算需求的强劲推动下,全球半导体巨头正在掀起新一轮大规模投资热潮。近日,业界陆续传出了台积电和SK海力士未来数年的巨额投资计划。

台积电方面,周一有媒体援引业界消息报道称,公司2025年资本支出有望达到320亿至360亿美元,同比增长12.5%至14.3%,创下历年次高。这一投资主要用于2nm等最先进制程的研发和产能扩充。

韩国SK海力士则计划到2028年投资高达748亿美元,其中80%将用于高带宽内存(HBM)芯片的研发和生产。

2nm需求超预期,台积电明年资本支出冲高

业内消息称,因持续加码2nm等最先进制程相关研发加上2nm后续需求超乎预期强劲,台积电2025年资本支出有望达到320亿美元至360亿美元区间,为历年次高,年增12.5%至14.3%。

据悉,台积电计划在2025年实现2nm制程量产,量产曲线预计与3nm类似。

此前有媒体报道称,为了满足台积电2nm制程的量产,设备厂正如火如荼交机,尤其是EUV光刻机,预计今明两年共将交付超过60台EUV,总投资金额超过4000亿元(约合550亿美元)。

客户方面,值得注意的是,除了苹果公司率先预定首批2nm产能外,其他非苹果客户也因AI需求旺盛而积极采用该技术。

对该传闻,台积电不做评论,并重申了有关资本支出和2nm技术的进展,以4月法说会内容为主。

当时,台积电强调,资本支出和产能规划是基于长期的结构性市场需求。2024年资本支出预计将介于280亿至320亿美元之间。

报道还称,台积电正在按计划扩大先进制程的产能:

其台南3nm工厂将于今年第三季度进入量产阶段,明年P8工厂也将陆续导入EUV光刻机。与此同时,新竹宝山2nm工厂在未来三年将保持EUV设备的强劲拉货动能,高雄2nm工厂的建设也在同步进行中。

SK海力士:向HBM投资600亿美元

全球第二大内存芯片制造商韩国SK海力士公司公布了雄心勃勃的投资计划。

周日,SK海力士宣布,计划到2028年投资高达103万亿韩元(约合748亿美元),其中80%(约为600亿美元)将用于HBM芯片的研发和生产。

SK海力士在HBM技术领域一直处于领先地位,今年3月,SK海力士开始大规模量产HBM3E芯片,并将下一代HBM4芯片的量产时间提前到2025年。

作为SK海力士押注AI的一部分,SK电信公司和SK宽带公司还将在数据中心业务上投资3.4万亿韩元,进一步完善集团的AI生态系统。

虽然这是SK海力士首次披露到2028年的投资计划,但 SK 海力士今年已宣布了一系列投资计划,包括在美国印第安纳州投资38.7亿美元建设先进封装工厂和 AI 产品研究中心,并在韩国本土投资146亿美元建设新的内存芯片综合体。

鉴于蓬勃增长的AI芯片需求,SK海力士计划,到2026年通过运营和业务改革创造80万亿韩元的收入。

此外,SK海力士计划在三年内确保30万亿韩元的自由现金流,以将其债务权益比控制在100%以下。尽管去年集团亏损10万亿韩元,但预计今年的税前利润将达到22万亿韩元,并计划在2026年将这一数字提高到40万亿韩元。